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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
作者
张书明 [1]
赵德刚 [1]
文献类型
会议论文 [7]
发表日期
2006 [1]
2004 [1]
2001 [2]
2000 [2]
1998 [1]
语种
英语 [7]
出处
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
MICRON, 35... [1]
PHYSICA ST... [1]
PROCEEDING... [1]
Physica St... [1]
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资助项目
收录类别
CPCI-S [7]
资助机构
China Natl... [1]
Chinese Va... [1]
Japan Soc ... [1]
Japan Soc ... [1]
会议主办方: Wuh... [1]
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知识图谱
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收录类别:CPCI\-S
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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作者升序
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Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Liu, C
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Li, CJ
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1499/262
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提交时间:2010/03/29
Thermally Stimulated Current
Gallium Nitride
Defects
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
会议论文
MICRON, 35 (6), Wuhan, PEOPLES R CHINA, OCT 17-21, 2003
作者:
Luo XH
;
Wang RM
;
Zhang XP
;
Zhang HZ
;
Yu DP
;
Luo MC
;
Wang RM Peking Univ Electron Microscopy Lab Beijing 100871 Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
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浏览/下载:1516/365
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提交时间:2010/10/29
Transmission Electron Microscopy
Electron Energy Loss Spectroscopy
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Nitride
Chemical-vapor-deposition
Epitaxy
Layer
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Impurities
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Semiconducting Iii-v Materials
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Defects
Heterostructure
Semiconductors
Stress
Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of GaN layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 188 (2), DENVER, COLORADO, JUL 16-20, 2001
作者:
Sun XL
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Chen Y
;
Li GH
;
Wang ZG
;
Sun XL Ohio State Univ Dept Elect Engn Columbus OH 43210 USA.
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浏览/下载:1373/285
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提交时间:2010/11/15
Gallium Nitride
Luminescence
Bulk
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yang H
;
Zhang SM
;
Xu DP
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Fu Y
;
Sun YP
;
Feng ZH
;
Zheng LX
;
Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Mocvd
Gan
Ingan
Cubic
Led
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Phase Epitaxy
Ingan Films
Electroluminescence
Zincblende
Wurtzite
Mbe
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
;
Sun XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1663/311
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提交时间:2010/11/15
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Cubic Gan
Hexagonal Phase Content
4-circle X-ray Double Crystal Diffraction
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Thin-films
Silicon
Gaas
High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Kong MY
;
Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangjp@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1375/289
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提交时间:2010/11/15
Gallium Nitride
Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Hydrogen
Autodoping
Films