High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN
Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Li XB; Kong MY; Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangjp@red.semi.ac.cn
1998
会议名称2nd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 97)
会议录名称JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189
页码566-569
会议日期OCT 27-31, 1997
会议地点TOKUSHIMA CITY, JAPAN
出版地PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS
出版者ELSEVIER SCIENCE BV
ISSN0022-0248
部门归属chinese acad sci, inst semicond, beijing 100083, peoples r china
摘要We use nuclear reaction analysis to study hydrogen in unintentionally doped GaN, and high-concentration hydrogen, nearly 10(21) cm(-3), is detected. Accordingly, a broad but intense infrared absorption zone with a peak at 2962 cm(-1) is reported, which is tentatively assigned to the stretch mode of NH: Ga complex. The complex is assumed to be one candidate answering for background electrons in unintentionally doped GaN. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
关键词Gallium Nitride Gas Source Molecular Beam Epitaxy Hydrogen Autodoping Films
学科领域半导体材料
主办者Japan Soc Appl Phys.; Inst Electr Informat & Commun Engineers.; IEEE.; Electron Devices Soc.
收录类别CPCI-S
语种英语
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15079
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
通讯作者Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangjp@red.semi.ac.cn
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhang JP,Wang XL,Sun DZ,et al. High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN[C]. PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS:ELSEVIER SCIENCE BV,1998:566-569.
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