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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科学... [7]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lv XQ (Lv, Xue-Qin)
;
Zhang JY (Zhang, Jiang-Yong)
;
Ying LY (Ying, Lei-Ying)
;
Liu WJ (Liu, Wen-Jie)
;
Hu XL (Hu, Xiao-Long)
;
Zhang BP (Zhang, Bao-Ping)
;
Qui ZR (Qui, Zhi-Ren)
;
Kuboya S (Kuboya, Shigeyuki)
;
Onabe K (Onabe, Kentaro)
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浏览/下载:607/157
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提交时间:2013/03/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, Shi-Yong
;
Zeng, Xiang-Bo
;
Peng, Wen-Bo
;
Yao, Wen-Jie
;
Xie, Xiao-Bing
;
Yang, Ping
;
Wang, Chao
;
Wang, Zhan-Guo
;
Zeng, X.-B.(xbzeng@semi.ac.cn)
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浏览/下载:1189/124
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tang GH (Tang Guang-Hua)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Jiang
;
LW (Jiang Li-Wen)
;
Kong JX (Kong Jin-Xia)
;
Kong
;
N (Kong Ning)
;
Liang DC (Liang De-Chun)
;
Liang P (Liang Ping)
;
Ye XL (Ye Xiao-Ling)
;
Jin P (Jin Peng)
;
Liu FQ (Liu Feng-Qi)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Tang, GH, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tghsugar@semi.ac.cn
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浏览/下载:1529/453
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提交时间:2010/04/28
一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:737/0
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提交时间:2016/08/30
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
杨香
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
田丽欣
;
刘敏
;
申占伟
;
赵万顺
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:833/0
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提交时间:2016/09/29
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:631/3
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提交时间:2016/09/28
一种三结叠层太阳能电池及其制造方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2015-04-22
发明人:
崔利杰
;
刘超
;
王晓东
;
曾一平
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浏览/下载:466/3
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提交时间:2016/09/28