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作者:  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Yang T (Yang Tao);  Xu PF (Xu Peng-Fei);  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Gu YX (Gu Yong-Xian);  Wang XD (Wang Xiao-Dong);  Wang Q (Wang Qing);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tyang@semi.ac.cn
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一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  刘贵鹏;  刘长波;  谷承艳;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人:  王科范;  彭成晓;  刘孔;  谷城;  曲胜春;  王占国
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