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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Z (Liu, Zhi);  Hu WX (Hu, Weixuan);  Su SJ (Su, Shaojian);  Li C (Li, Chong);  Li CB (Li, Chuanbo);  Xue CL (Xue, Chunlai);  Li YM (Li, Yaming);  Zuo YH (Zuo, Yuhua);  Cheng BW (Cheng, Buwen);  Wang QM (Wang, Qiming)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Rui YJ;  Li SX;  Xu J;  Song C;  Jiang XF;  Li W;  Chen KJ;  Wang QM;  Zuo YH;  Rui, YJ (reprint author), Nanjing Univ, Sch Elect Sci & Engn, Nanjing 210093, Peoples R China, junxu@nju.edu.cn
Adobe PDF(1272Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1094/303  |  提交时间:2012/02/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song C;  Rui YJ;  Wang QB;  Xu J;  Li W;  Chen KJ;  Zuo YH;  Wang QM;  Xu, J, Nanjing Univ, Nanjing Natl Lab Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. junxu@nju.edu.cn
Adobe PDF(163Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2148/753  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng J (Zheng J.);  Zuo YH (Zuo Y. H.);  Zhang LZ (Zhang L. Z.);  Wang W (Wang W.);  Xue CL (Xue C. L.);  Cheng BW (Cheng B. W.);  Yu JZ (Yu J. Z.);  Guo HQ (Guo H. Q.);  Wang QM (Wang Q. M.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭剑川;  左玉华;  张云;  张岭梓;  成步文;  王启明
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GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  成步文;  薛春来;  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  苏少坚;  白安琪;  薛海韵
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半导体纳米柱阵列结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183395.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  白安琪;  成步文;  左玉华;  王启明
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共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  马志华;  左玉华;  薛春来;  成步文;  王启明;  郑世雄
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在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人:  苏少坚;  汪巍;  成步文;  王启明;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华
Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1464/110  |  提交时间:2011/08/30