SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共8条,第1-8条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhan, F;  He, JF;  Shang, XJ;  Li, MF;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Niu, ZC
Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:939/317  |  提交时间:2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  He JF;  Wang HL;  Shang XJ;  Li MF;  Zhu Y;  Wang LJ;  Yu Y;  Ni HQ;  Xu YQ;  Niu ZC;  He, JF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, hejifang@semi.ac.cn
Adobe PDF(980Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1015/276  |  提交时间:2012/01/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YC (Zhang Yu-Chi);  Li YA (Li Yuan);  Guo YQ (Guo Yan-Qiang);  Li G (Li Gang);  Wang JM (Wang Jun-Min);  Zhang TC (Zhang Tian-Cai)
Adobe PDF(143Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1041/290  |  提交时间:2010/09/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Meng XQ;  Peng HW;  Gai YQ;  Li;  J;  Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
Adobe PDF(2453Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1385/507  |  提交时间:2010/04/05
在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1525/245  |  提交时间:2012/08/29
基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人:  倪海桥;  丁颖;  徐应强;  李密锋;  喻颖;  査国伟;  徐建新;  牛智川
Adobe PDF(346Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:815/86  |  提交时间:2014/11/17
双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  邢军亮;  张宇;  王国伟;  王娟;  王丽娟;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(1931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:865/73  |  提交时间:2014/11/24
一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  张立春;  王国伟;  张宇;  徐应强;  倪海桥;  牛智川
Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:546/13  |  提交时间:2016/09/28