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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [13]
作者
魏鸿源 [3]
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王圩 [3]
焦春美 [2]
文献类型
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期刊论文 [6]
学位论文 [1]
发表日期
2009 [2]
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2007 [4]
2006 [4]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:
蔡芳芳
;
范海波
;
张攀峰
;
刘祥林
Adobe PDF(268Kb)
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浏览/下载:1310/188
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提交时间:2010/03/19
生长氧化锌纳米棒阵列的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:
范海波
;
杨少延
;
张攀峰
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(330Kb)
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浏览/下载:1541/249
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提交时间:2010/03/19
δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
魏鸿源
;
刘祥林
;
张攀峰
;
焦春美
;
王占国
Adobe PDF(413Kb)
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浏览/下载:1439/207
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提交时间:2009/06/11
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
;
董向芸
;
张晓沛
;
范海波
;
魏宏源
;
张攀峰
;
王占国
Adobe PDF(1046Kb)
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浏览/下载:1390/138
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提交时间:2009/06/11
ZnO 薄膜生长及相关物性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:
张攀峰
Adobe PDF(3810Kb)
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浏览/下载:900/27
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提交时间:2009/04/13
氧化锌基的蓝光发光二极管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张攀峰
;
丛伟光
;
魏鸿源
;
刘祥林
Adobe PDF(579Kb)
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浏览/下载:1313/214
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu, WG (Hu Wei-Guo)
;
Liu, XL (Liu Xiang-Lin)
;
Zhang, PF (Zhang Pan-Feng)
;
Zhao, FA (Zhao Feng-Ai)
;
Jiao, CM (Jiao Chun-Mei)
;
Wei, HY (Wei Hong-Yuan)
;
Zhang, RQ (Zhang Ri-Qing)
;
Wu, JJ (Wu Jie-Jun)
;
Cong, GW (Cong Guang-Wei)
;
Pan, Y (Pan Yi)
;
Hu, WG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sivamay@semi.ac.cn
Adobe PDF(237Kb)
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浏览/下载:1484/399
  |  
提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fan HB (Fan Hai-Bo)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhang PF (Zhang Pan-Feng)
;
Wei HY (Wei Hong-Yuan)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Jiao CM (Jiao Chun-Mei)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Fan, HB, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn
;
sh-yyang@semi.ac.cn
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浏览/下载:7387/2875
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei HY (Wei Hong-Yuan)
;
Hu WG (Hu Wei-Guo)
;
Zhang PF (Zhang Pan-Feng)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhau-Guo)
;
Liu, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@semi.ac.cn
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浏览/下载:980/291
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提交时间:2010/03/29
一种强磁场的霍尔效应测试装置及其测试方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张攀峰
;
吴洁君
;
胡卫国
;
刘祥林
Adobe PDF(562Kb)
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浏览/下载:1518/201
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提交时间:2009/06/11