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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou B; Pan SW; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu JZ; Zhu XF; Chen SY Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Fujain Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou B; Pan SW; Chen R; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu; JZ; Zhu XF; Chen, SY, Xiamen Univ, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li YH; Walsh A; Chen SY; Yin WJ; Yang JH; Li JB ; Da Silva JLF; Gong XG; Wei SH; Li YH Fudan Univ Dept Phys Shanghai 200433 Peoples R China. E-mail Address: a.walsh@ucl.ac.uk; swei@nrel.gov
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD; Li C Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Peoples R China. E-mail Address: lich@xmu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang J (Wang Jun); Li SS (Li Shu-Shen); Lu YW (Lue Yan-Wu); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: junwang07@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn; qszhu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨淑英; 安俊明; 李俊一
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| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
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| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li YQ; Yang Y; Fu SY; Yi XY; Wang LC; Chen HD; Fu, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: syfu@mail.ipc.ac.cn
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