×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
中科院半导体材料科学... [1]
作者
李成明 [7]
魏鸿源 [1]
宋华平 [1]
焦春美 [1]
文献类型
专利 [6]
期刊论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2008 [2]
2007 [4]
语种
中文 [6]
英语 [1]
出处
NANOSCALE ... [1]
资助项目
收录类别
SCI [1]
资助机构
National S... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
(本次检索基于用户作品认领结果)
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
作者:李成明
第一作者
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JM
;
Liu XL
;
Li CM
;
Wei HY
;
Guo Y
;
Jiao CM
;
Li ZW
;
Xu XQ
;
Song HP
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Yang AL
;
Yang TY
;
Wang HH
;
Liu, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. liujianming@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
Adobe PDF(4152Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1336/335
  |  
提交时间:2011/07/05
一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
范海波
;
李成明
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(1055Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1335/178
  |  
提交时间:2009/06/11
一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
范海波
;
李成明
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(843Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1282/186
  |  
提交时间:2009/06/11
具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(924Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1319/171
  |  
提交时间:2009/06/11
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(931Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1375/176
  |  
提交时间:2009/06/11
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
杨霏
;
李成明
;
范海波
;
陈涌海
;
刘志凯
;
王占国
Adobe PDF(1107Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1401/193
  |  
提交时间:2009/06/11
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(1043Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1177/158
  |  
提交时间:2009/06/11