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直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
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六英寸半绝缘砷化镓单晶  
半导体光电子功能材料集成技术平台 成果
2006
主要完成人:  王圩;  朱红亮;  赵玲娟;  周帆;  潘教青;  王宝军;  边静
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电子功能材料  
ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶(片)研究 成果
1996
主要完成人:  林兰英;  曹福;  白玉珂;  惠峰;  卜俊鹏
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Si-gaas  
掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备 成果
1988
主要完成人:  梁骏吾;  邓礼生;  郑红军;  黄大定;  栾洪发
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硅单晶  
水平法低位错GaAs的单晶 成果
1986
主要完成人:  褚一鸣;  何宏家;  周伯骏;  曹福年;  白玉珂
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Gaas