Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备 | |
| 梁骏吾; 邓礼生; 郑红军; 黄大定; 栾洪发 | |
| 获奖类别 | 院科技进步奖 |
| 获奖等级 | 一等奖 |
| 1988 | |
| 关键词 | 硅单晶 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 成果 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/10974 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁骏吾,邓礼生,郑红军,等. 掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备. 1988. |
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