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| 偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王书荣; 王圩; 刘志宏; 张瑞英; 朱洪亮; 王鲁蜂
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| 渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王书荣; 王圩; 朱洪亮; 张瑞英; 边静
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王书荣; 王圩 ; 刘志宏; 朱洪亮; 张瑞英; 丁颖; 赵玲娟; 周帆; 田慧良
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| 宽带偏振不灵敏InGaAs 光放大器及其模斑转换器集成 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 王书荣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王书荣; 王圩; 朱洪亮; 张瑞英; 赵玲娟; 周帆; 田慧良
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shang YC; Liu ZL; Wang SR; Shang YC,Chinese Acad Sci,Microelect R&D Ctr,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙国胜; 王雷; 罗木昌; 赵万顺; 朱世荣; 李晋闽; 曾一平; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 殷景志; 刘素萍; 刘宗顺; 王新强; 殷宗友; 李正庭; 杨树人; 杜国同
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 尚也淳; 刘忠立; 王姝睿
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 尚也淳; 刘忠立; 王姝睿
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