SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器
王书荣; 王圩; 刘志宏; 朱洪亮; 张瑞英; 丁颖; 赵玲娟; 周帆; 田慧良
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:3Pages:567-570
Abstract采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100~250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0~250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.
metadata_83中国科学院半导体研究所,光电子研发中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1958214
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17111
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王书荣,王圩,刘志宏,等. 宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器[J]. 半导体学报,2005,26(3):567-570.
APA 王书荣.,王圩.,刘志宏.,朱洪亮.,张瑞英.,...&田慧良.(2005).宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器.半导体学报,26(3),567-570.
MLA 王书荣,et al."宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器".半导体学报 26.3(2005):567-570.
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