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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)0.5In0.5P外延片的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  仲莉;  马骁宇
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780nm~850nm无铝激光器外延片的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  仲莉;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈媛媛;  李艳萍;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周亮;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘端阳;  夏建白;  张亚中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  廖凌宏;  周志文;  李成;  陈松岩;  赖虹凯;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨威;  姬扬;  罗海辉;  阮学忠;  王玮竹;  赵建华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄振;  于斌;  赵国忠;  张存林;  崔利杰;  曾一平
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