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| 多功能半导体晶片键合装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨国华; 何国荣; 石岩; 宋国峰; 郑婉华; 陈良惠 Adobe PDF(727Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1551/205  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于键合的清洗和干燥装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 何国荣; 石岩; 杨国华; 郑婉华; 陈良惠 Adobe PDF(583Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1478/224  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1319/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1375/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1401/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1178/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨国华; 何国荣; 宋国锋; 石岩; 郑婉华; 陈良惠 Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1397/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种半导体晶片亚表面损伤层的测量方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(589Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1129/168  |  提交时间:2009/06/11 |
| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王元立; 吴巨; 金鹏; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1615/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Li RY (Li R. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Guo X (Guo X.); Chen M (Chen M.); Li, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ryli@red.semi.ac.cn Adobe PDF(532Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1095/363  |  提交时间:2010/04/11 |