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| 一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 车晓玲; 刘峰奇; 黄秀颀; 雷文; 刘俊岐; 王占国
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| 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴洁君; 黎大兵 ; 陆沅; 韩修训; 李杰民; 王晓辉; 刘祥林; 王占国
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| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
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| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chang H; Rao G; Liang J; Guo Y; Liu S; Du H; Chang, H, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: ghrao@aphy.iphy.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋国峰; 甘巧强; 瞿欣; 方培源; 高建霞; 曹青; 徐军; 康香宁; 徐云; 钟源; 杨国华; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡海蓉; 牛萍娟; 胡海洋; 郭维廉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭继云; 王守觉; 刘学刚
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