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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [9]
作者
文献类型
会议论文 [9]
发表日期
1998 [9]
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英语 [9]
出处
INTEGRATED... [2]
1998 5TH I... [1]
APPLICATIO... [1]
HYDROGEN I... [1]
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共9条,第1-9条
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收录类别:CPCI\-S
发表日期:1998
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Iron related emission spectra in InP
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Chang Y
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1422/383
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提交时间:2010/10/29
Absorption-spectroscopy
Fe
On the nature of iron in InP: A FTIR study
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Lao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Iron
Phonon Sideband
Semi-insulating
Inp
Dynamics of formation of defects in annealed InP
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1302/387
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提交时间:2010/10/29
Defects Formation
Hydrogen Related Defects
Semi-insulating
Inp
Formation mechanism of defects in annealed InP
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Defects Formation
Hydrogen Related Defects
Semi-insulating
Inp
The role of hydrogen in semi-insulating INP
会议论文
HYDROGEN IN SEMICONDUCTORS AND METALS, 513, SAN FRANCISCO, CA, APR 13-17, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Qian JJ
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1138/0
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提交时间:2010/10/29
Asymmetric dark current in double barrier quantum well infrared photodetectors
会议论文
INFRARED SPACEBORNE REMOTE SENSING VI, 3437, SAN DIEGO, CA, JUL 22-24, 1998
作者:
Zhuang QD
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhuang QD Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Semicond Mat POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1305/381
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提交时间:2010/10/29
Dark Current
Quantum Well
Infrared
Photodetector
Mu-m
Performance
Detectors
Array
Hydrogen related defects in InP
会议论文
PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON LIGHT EMITTING DEVICES FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS AND THE TWENTY-EIGHTH STATE-OF-THE-ART PROGRAM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS, 98 (2), SAN DIEGO, CA, MAY 03-08, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1376/172
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提交时间:2010/10/29
The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:
Liu XL
;
Wang LS
;
Lu DC
;
Wang D
;
Wang XH
;
Lin LY
;
Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Movpe
Gan
Gan Buffer
Heavy Si-doping
Twin and grain boundary in InP: A synchrotron radiation study
会议论文
APPLICATIONS OF SYNCHROTRON RADIATION TECHNIQUES TO MATERIALS SCIENCE IV, 524, SAN FRANCISCO, CA, APR 13-17, 1998
作者:
Han YJ
;
Jiang JH
;
Wang ZG
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Tian YL
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1221/178
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提交时间:2010/10/29