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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
薛春来 [1]
叶小玲 [1]
徐波 [1]
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2008 [2]
2004 [1]
1999 [1]
语种
英语 [4]
出处
2008 5TH I... [1]
EUROPEAN P... [1]
JOURNAL OF... [1]
PHYSICA ST... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [3]
其他 [1]
资助机构
IEEE.; Inf... [1]
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SEMI OpenIR
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语种:英语
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:2055/451
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提交时间:2010/03/09
Performance
Heterostructures
Optimization
Mobility
Low threading-dislocation-density Ge film on Si grown on a pitting Ge buffer layer
会议论文
2008 5TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Sorrento, ITALY, SEP 17-19, 2008
作者:
Cheng BW
;
Xue HY
;
Hu D
;
Han GQ
;
Zeng YG
;
Bai AQ
;
Xue CL
;
Luo LP
;
Zuo YH
;
Wang QM
;
Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1523/312
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提交时间:2010/03/09
Sige/si(100) Epitaxial-films
Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1596/258
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提交时间:2010/10/29
Short-period Superlattices
Raman-scattering
Quantum-wells
Growth
Roughness
Segregation
Alas/gaas
Alas
Gaas
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
;
Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Threading Dislocation
Si(100)
Layers
Films