×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [9]
作者
陈平 [1]
侯奇峰 [1]
张明兰 [1]
文献类型
会议论文 [9]
发表日期
2008 [9]
语种
英语 [9]
出处
SOLID STAT... [6]
2008 9TH I... [1]
PHYSICA ST... [1]
THIN FILM ... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [7]
其他 [2]
资助机构
SPIE.; Chi... [6]
IEEE Beiji... [1]
Shanghai J... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
发表日期:2008
语种:英语
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Tang J
;
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Hu GX
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(3875Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1875/433
  |  
提交时间:2010/03/09
Algan/gan Hemts
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(222Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:2146/451
  |  
提交时间:2010/03/09
Performance
Heterostructures
Optimization
Mobility
Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G
会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:
Chen P
;
Lib SP
;
Tu XG
;
Zuo YH
;
Zhao L
;
Chen SW
;
Li JC
;
Lin W
;
Chen HY
;
Liu DY
;
Kang JY
;
Yu YD
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(386Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1862/355
  |  
提交时间:2010/03/09
Pockels Effect
High-efficiency GaN-based blue LEDs grown on nano-patterned sapphire substrates for solid-state lighting - art. no. 684103
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Yan, FW
;
Gao, HY
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1746Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:3113/891
  |  
提交时间:2010/03/09
Gan
Mocvd
Led
Nano-pattern
Sem
Hrxrd
Pl
The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Zeng, YP
;
Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(954Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1905/511
  |  
提交时间:2010/03/09
Hvpe
Gan
Nitridation
Polarity
Etching
Improvement of GaN-based light emitting diodes performance grown on sapphire substrates patterned by wet etching - art. no. 684107
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, A35 Qinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(753Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:3055/842
  |  
提交时间:2010/03/09
Pyramidal Patterned Substrate
Ingan/gan
Light-emitting Diode
Wet Etching
The effects of sapphire substrates processes to the LED efficiency - art. no. 68410M
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Yang, H
;
Chen, Y
;
Wang, LB
;
Yi, XY
;
Fan, JM
;
Liu, ZQ
;
Yang, FH
;
Wang, LC
;
Wang, GH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(297Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:7738/2096
  |  
提交时间:2010/03/09
Gan-based Led
Grinding
Ray Tracing
Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, NX
;
Liu, Z
;
Li, JM
;
Yan, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(471Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:2158/557
  |  
提交时间:2010/03/09
Algan
Gan Template
A1n Interlayer
Mocvd
Crack
Interference Fringes
High-brightness GaN-based blue LEDs grown on a wet-patterned sapphire substrate - art. no. 68410T
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Zhang, Y
;
Yan, FW
;
Gao, HY
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(929Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:3807/1292
  |  
提交时间:2010/03/09
Gan
Nitrides
Led
Mocvd
Patterned Sapphire Substrate
Wet Etching