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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Ying J; Zhang XW ; Yin ZG ; Tan HR ; Zhang SG ; Fan YM ; Ying, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yang J; You JB ; Chen CC; Hsu WC; Tan HR ; Zhang XW ; Hong ZR; Yang Y; Yang, J (reprint author), Univ Calif Los Angeles, Dept Mat Sci & Engn, Los Angeles, CA 90095 USA. yangy@ucla.edu
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| 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12 发明人: 范亚明 ; 张兴旺 ; 谭海仁 ; 陈诺夫
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: You JB ; Zhang XW ; Zhang SG ; Tan HR ; Ying J; Yin ZG ; Zhu QS; Chu PK (Chu Paul K.); Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn; paul.chu@cityu.edu.hk
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Fan YM ; Zhang XW ; You JB ; Tan HR ; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Fan YM ; Zhang XW ; You JB ; Ying J; Tan HR ; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 图案化纳米模板及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010520234.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 董敬敬; 张兴旺 ; 尹志岗 ; 谭海仁 ; 高云; 张曙光 ; 白一鸣
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