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降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  范亚明;  张兴旺;  谭海仁;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Zhang SG;  Tan HR;  Ying J;  Yin ZG;  Zhu QS;  Chu PK (Chu Paul K.);  Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn;  paul.chu@cityu.edu.hk
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