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以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  任芸芸;  徐波;  周惠英;  刘明;  李志刚;  王占国
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王占国
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在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  王占国
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一种互补式金属氧化层半导体磁传感器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周盛华;  吴南健;  杨志超
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xing, HY;  Fan, GH;  Zhao, DG;  He, M;  Zhang, Y;  Zhou, TM;  Fan, GH, S China Normal Univ, Inst Optoelect Mat & Technol, Guangzhou 501631, Guangdong, Peoples R China. 电子邮箱地址: hy.xing@yahoo.com.cn;  gfan@scnu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, R;  Sun, BQ;  Ruan, XZ;  Gan, HD;  Ji, Y;  Wang, WZ;  Zhao, JH;  Sun, BQ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@red.semi.ac.cn
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半导体材料平面光学各向异性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  周振宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  齐龙舟;  肖浩;  李芳;  刘育梁
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周志文;  蔡志猛;  张永;  蔡坤煌;  周笔;  林桂江;  汪建元;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  余金中;  王启明
Adobe PDF(728Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1276/412  |  提交时间：2010/11/23