已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞 ; 马平; 魏同波 ; 林郭强
Adobe PDF(457Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1604/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠鸾; 王勇刚; 林涛; 王俊; 郑凯; 冯小明; 仲莉; 马杰慧; 马骁宇
Adobe PDF(548Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1160/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李宝霞; 张靖; 赵玲娟; 王圩
Adobe PDF(544Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1132/185  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(335Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1287/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(830Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1010/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 朱洪亮; 李宝霞; 张靖; 王圩
Adobe PDF(649Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1201/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 夏君磊; 吴远大; 安俊明; 郜定山; 李健; 龚春娟; 胡雄伟
Adobe PDF(446Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1363/146  |  提交时间:2009/06/11 |
| 蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郭伦春; 王晓亮; 王军喜; 肖红领; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(551Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1261/206  |  提交时间:2009/06/11 |
| 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(411Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1035/183  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(1125Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1028/150  |  提交时间:2009/06/11 |