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基于量子限制Stark 效应的Ge/SiGe量子阱电吸收调制器的设计与研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  赵红卫
Adobe PDF(3346Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1026/73  |  提交时间：2011/06/03
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao HW;  Hu WX;  Xue CL;  Cheng BW;  Wang QM;  Zhao, HW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. hwzhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(868Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1210/300  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L;  Zuo YH;  Zhou CL;  Li HL;  Diao HW;  Wang WJ;  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Elect Engn, Key Lab Solar Thermal Energy & Photovolta Syst, Beijing 100190, Peoples R China. zhaolei@mail.iee.ac.cn
Adobe PDF(879Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1764/610  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L;  Diao HW;  Zeng XB;  Zhou CL;  Li HL;  Wang WJ;  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Elect Engn, Solar Cell Technol Grp, Key Lab Solar Thermal Energy & Photovolta Syst, Beijing 100190, Peoples R China. E-mail Address: zhaolei@mail.iee.ac.cn
Adobe PDF(261Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：3548/720  |  提交时间：2010/04/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L;  Zuo YH;  Zhou CL;  Li HL;  Diao HW;  Wang WJ;  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Solar Cell Technol Grp, Key Lab Solar Thermal Energy & Photovolta Syst, Inst Elect Engn, 6 Beiertiao Zhongguancun, Beijing 100190, Peoples R China. E-mail Address: zhaolei@mail.iee.ac.cn
Adobe PDF(446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1486/555  |  提交时间：2010/04/13
Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality 会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:  Zhao, YW (Zhao, Youwen);  Dong, ZY (Dong, Zhiyuan);  Dong, HW (Dong, Hongwei);  Sun, NF (Sun, Niefeng);  Sun, TN (Sun, Tongnian);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1493/450  |  提交时间：2010/03/29
Stimulated Current Spectroscopy  Current Transient Spectroscopy  Fe-doped Inp  Point-defects  Compensation  Temperature  Donors  Traps  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Li, JM;  Ling, LY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(188Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：848/299  |  提交时间：2010/03/17
磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  董宏伟;  赵有文;  杨子祥;  焦景华
Adobe PDF(283Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1502/226  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Li JM;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(119Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1802/569  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Zeng YP;  Jiao JH;  Li JM;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(145Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1310/426  |  提交时间：2010/08/12