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| 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
  收藏 | 浏览/下载：550/0 | 提交时间：2016/08/30 |
| 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人: 彭文博; 曾湘波; 刘石勇; 姚文杰; 谢小兵; 肖海波; 杨萍; 王超; 俞育德
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| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
Adobe PDF(375Kb) | 收藏 | 浏览/下载：665/101 | 提交时间：2014/11/05 |
| 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
发明人: 乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉
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| 提高激光器量子阱载流子限制能力的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 抑制GaAs基激光器高阶模的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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| 一种提高氮化镓基激光器性能的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
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