SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法
李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-08-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2014-10-21
申请号CN201410563125.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27281
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李翔,赵德刚,江德生,等. 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法.
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