| 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法; 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 | |
| 彭文博; 曾湘波; 刘石勇; 姚文杰; 谢小兵; 肖海波; 杨萍; 王超; 俞育德 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-09-07 ; 2011-09-07 ; 2012-09-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池的制作方法,包括如下步骤：步骤1：将一衬底清洗干净,然后放入等离子体增强型化学气相沉积系统,烘烤并抽高真空；步骤2：在衬底上制作中间层；步骤3：在中间层上制作电极层,其是通过氢气调制本征层(I层)能带结构改进太阳电池的光吸收性能和界面性能,进而提高电池的效率。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 申请日期 | 2011-01-31 |
| 专利号 | CN102176496A |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201110033772.1 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23350 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭文博,曾湘波,刘石勇,等. 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法, 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法. CN102176496A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池（429KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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