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氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法; 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法
彭文博; 曾湘波; 刘石勇; 姚文杰; 谢小兵; 肖海波; 杨萍; 王超; 俞育德
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-07 ; 2011-09-07 ; 2012-09-07
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池的制作方法,包括如下步骤:步骤1:将一衬底清洗干净,然后放入等离子体增强型化学气相沉积系统,烘烤并抽高真空;步骤2:在衬底上制作中间层;步骤3:在中间层上制作电极层,其是通过氢气调制本征层(I层)能带结构改进太阳电池的光吸收性能和界面性能,进而提高电池的效率。
部门归属半导体集成技术工程研究中心
申请日期2011-01-31
专利号CN102176496A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110033772.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23350
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
彭文博,曾湘波,刘石勇,等. 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法, 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法. CN102176496A.
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氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池(429KB) 限制开放使用许可请求全文
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