SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
一种高阻GaN薄膜的制备方法
何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-02-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2013-11-14
申请号CN201310566981.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25480
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
何晓光,赵德刚,江德生,等. 一种高阻GaN薄膜的制备方法.
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一种高阻GaN薄膜的制备方法.pdf(375KB) 限制开放使用许可请求全文
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