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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peishuai Song;  Chaowei Si;  Mingliang Zhang;  Yongmei Zhao;  Yurong He;  Wen Liu;  Xiaodong Wang
Adobe PDF(3333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/12/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jian Yang;   Meng Zhang;   Yurong He;   Yan Su ;   Guowei Han ;   Chaowei Si ;   Jin Ning;   Fuhua Yang ;   Xiaodong Wang
Adobe PDF(6047Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2020/08/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Min Liu;  Shuyuan Zhang;  Xiang Yang;  Xue Chen;  Zhongchao Fan;  Xiaodong Wang;  Fuhua Yang;  Chao Ma;  Zhi He
Adobe PDF(909Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：110/0  |  提交时间：2019/11/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lifang Jia;  Wei Yan;  Zhongchao Fan;  Zhi He;  Xiaodong Wang;  Guohong Wang;  Fuhua Yang
Adobe PDF(712Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：616/176  |  提交时间：2014/03/26
具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：715/1  |  提交时间：2016/08/30
材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  赵永梅;  何志;  季安;  刘胜北;  黄亚军;  杨香;  段瑞飞;  张明亮;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：761/3  |  提交时间：2016/09/28
一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  赵永梅;  何志;  季安;  王晓峰;  黄亚军;  潘岭峰;  樊中朝;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：680/2  |  提交时间：2016/09/12
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：680/5  |  提交时间：2016/08/30
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(571Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：652/5  |  提交时间：2016/08/30