| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 | |
| 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2016-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 微电子学 |
| 申请日期 | 2014-12-29 |
| 申请号 | CN201410838171.1 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27222 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王进泽,杨香,颜伟,等. 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 具有低特征导通电阻的SiC+VDMOSF（607KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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