| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 | |
| 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2016-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 微电子学 |
| Application Date | 2014-12-29 |
| Application Number | CN201410838171.1 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27222 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王进泽,杨香,颜伟,等. 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 具有低特征导通电阻的SiC+VDMOSF（607KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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