SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-08-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域微电子学
申请日期2014-11-28
申请号CN201410710282.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27271
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
贾利芳,何志,刘志强,等. 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法.
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制(571KB) 限制开放使用许可请求全文
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