×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [9]
作者
江德生 [1]
文献类型
会议论文 [9]
发表日期
2002 [9]
语种
英语 [9]
出处
COMMAD 200... [2]
INTERNATIO... [2]
2002 12TH ... [1]
CONFERENCE... [1]
IMPACT OF ... [1]
INTEGRATED... [1]
更多...
资助项目
收录类别
CPCI-S [9]
资助机构
Ansto Sims... [2]
Chinese Ma... [2]
Comm Space... [1]
IEE.; Slov... [1]
IEEE Elect... [1]
SPIE. [1]
更多...
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
发表日期:2002
文献类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Optical study of electronic states in GaAsN
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Luo XD
;
Yang CL
;
Huang JS
;
Xu ZY
;
Liu J
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
;
Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond NLSM Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(188Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1515/265
  |  
提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Temperature Photoluminescence
Quantum-well
Alloys
Relaxation
Gaas1-xnx
Space-grown SI-GaAs and its application
会议论文
2002 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTING & INSULATING MATERIALS, SMOLENICE, SLOVAKIA, JUN 30-JUL 05, 2002
作者:
Chen NF
;
Zhong XG
;
Zhang M
;
Lin LY
;
Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(239Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1833/365
  |  
提交时间:2010/10/29
Semiinsulating Gallium-arsenide
Floating-zone Growth
Crystal-growth
Zero Gravity
Microgravity
Segregation
Stoichiometry
Silicon
Defects
Insb
Characterization of diphasic nc-Si/a-Si : H thin films and solar cells
会议论文
CONFERENCE RECORD OF THE TWENTY-NINTH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE 2002, NEW ORLEANS, LA, MAY 19-24, 2002
作者:
Zhang SB
;
Xu YY
;
Hu ZH
;
Wang YQ
;
Zeng XB
;
Diao HW
;
Wang WJ
;
Kong GL
;
Liao XB
;
Zhang SB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(236Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1442/381
  |  
提交时间:2010/10/29
Silicon
Raman
1.5 mu m DFB integrated with vertical tapered spotsize converter fabricated by selective MOVPE
会议论文
INTEGRATED OPTICS: DEVICES, MATERIALS, AND TECHNOLOGIES VI, 4640, SAN JOSE, CA, FEB 21-23, 2002
作者:
Qiu WB
;
Dong J
;
Zhang JY
;
Zhou F
;
Zhu HL
;
Wang W
;
Qiu WB Chinese Acad Sci Natl Res Ctr Optoelect Technol Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(117Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1128/277
  |  
提交时间:2010/10/29
Spotsize Converter
Selective Area Growth
Butt-joint
Wave-guide
Lasers
Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Cheng BW
;
Zhang JG
;
Zuo YH
;
Mao RW
;
Huang CJ
;
Luo LP
;
Yao F
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(319Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1193/201
  |  
提交时间:2010/11/15
Si-ge Alloys
Growth
Layers
Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wei WS
;
Wang TM
;
Zhang CX
;
Li GH
;
Han HX
;
Ding K
;
Wei WS Beijing Univ Aeronaut & Astronaut Sch Sci Ctr Mat Phys & Chem Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(860Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1078/213
  |  
提交时间:2010/11/15
Amorphous-silicon
Space grown semi-insulating gallium arsenide single crystal and its application
会议论文
IMPACT OF THE GRAVITY LEVEL ON MATERIALS PROCESSING AND FLUID DYNAMICS, 29 (4), WARSAW, POLAND, JUL, 2000
作者:
Chen NF
;
Zhong XR
;
Zhang M
;
Lin LY
;
Chen NF Acad Sinica Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(357Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1457/239
  |  
提交时间:2010/11/15
Semiinsulating Gaas
Stoichiometry
Defects
Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:
Xie MH
;
Cheung SH
;
Zheng LX
;
Tong SY
;
Zhang BS
;
Yang H
;
Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
Adobe PDF(1325Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1385/242
  |  
提交时间:2010/11/15
Molecular-beam Epitaxy
Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Chang K
;
Bian LF
;
Sun BQ
;
Wang JB
;
Johnson S
;
Zhang Y
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(215Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1415/272
  |  
提交时间:2010/10/29
Lasers
Gain
Gaas