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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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1998 [61]
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共61条,第1-10条
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发表日期:1998
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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95
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Yellow luminescence mechanism and persistent photoconductivity in n-GaN single crystal films grown on alpha-Al2O3(0001) substrates by LP-MOCVD
会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:
Wang LS
;
Yue GZ
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Wang CX
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang LS Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Metastability
Antisite
Dependence of ultra-thin gate oxide reliability on surface cleaning approach
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Gao WY
;
Liu ZL
;
He ZJ
;
Gao WY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Chemical Treatment
Quality
Technology
Films
Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
;
Zhang W
;
Mo QW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Coherent Islands
Gaas
Growth
Dots
Dislocations
Temperature
Mechanisms
Si(001)
Ingaas
A study on GaP/Si heterostructures grown by GS-MBE
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Yu JZ
;
Chen BW
;
Yu Z
;
Wang QM
;
Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Gap/si Heterostructure
Gs-mbe
Lattice Match
X-ray Double Crystal Diffraction
Photoluminescence (Pl)
Growth of Fe doped semi-insulating InP by LP-MOCVD
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Yan XJ
;
Zhu HL
;
Wang W
;
Xu GY
;
Zhou F
;
Ma CH
;
Wang XJ
;
Tian HL
;
Zhang JY
;
Wu RH
;
Wang QM
;
Yan XJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semi-insulating
Fe-doped
Mocvd
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ingaasp
Strained Layer Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
High brightness AlGaInP orange light emitting diodes
会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:
Li YZ
;
Wang GH
;
Ma XY
;
Peng HI
;
Wang ST
;
Chen LH
;
Li YZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
High Brightness
Led
Mocvd
Algainp
Coupled AlxGa1-xAs-AlAs distributed Bragg reflectors for high brightness AlGaInP light emitting diodes
会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:
Wang GH
;
Ma XY
;
Zhang YF
;
Peng HI
;
Wang ST
;
Li YZ
;
Chen LH
;
Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Led
Coupled Distributed Bragg Reflector
Mocvd
Algainp
High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Lian P
;
Wang LM
;
Zhang XY
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Wang GH
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Algainp
Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Duan SK
;
Teng XG
;
Wang YT
;
Li GH
;
Jiang HX
;
Han P
;
Lu DC
;
Duan SK,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Integrated Optoelect Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/08/12