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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴鹏; 张玲; 于海娟; 袁仙丹; 张志研; 赵鹏飞; 李港; 王旭葆; 林学春
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨其长; 徐志刚; 陈弘达; 泮进明; 魏灵玲; 刘文科; 周泓; 刘晓英; 宋昌斌
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| 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 任芸芸; 徐波 ; 周惠英; 刘明; 李志刚; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sheng, Q; Xing-Wang, Z; Zhi-Gang, Y; Jing-Bi, Y; Nuo-Fu, C; Sheng, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Keyl Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王勇刚; 彭继迎; 檀慧明; 钱龙生; 柴路; 张志刚; 王清月; 林涛; 马骁宇
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| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏
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| 一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 刘立峰; 尹志刚; 杨菲; 柴春林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 姜其畅; 卓壮; 王勇刚; 李健; 苏艳丽; 马骁宇; 张志刚; 王清月
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邵刚; 刘新宇; 和致经; 刘健; 魏珂; 陈晓娟; 吴德馨; 王晓亮; 陈宏
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王勇刚; 马骁宇; 居桂方; 张志刚
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