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4H-SiC结型势垒肖特基（JBS）二极管的设计与研制及其关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  王进泽
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具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：756/1  |  提交时间：2016/08/30