| 4H-SiC结型势垒肖特基（JBS）二极管的设计与研制及其关键工艺研究 | |
| 王进泽 | |
| Subtype | 硕士 |
| Thesis Advisor | 杨富华+王晓东+何志 |
| 2015-05-28 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 电子与通信工程 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Date Available | 2015-06-02 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26574 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王进泽. 4H-SiC结型势垒肖特基（JBS）二极管的设计与研制及其关键工艺研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2015. |
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