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| 多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-02-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张富强; 陈诺夫
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗 ; 杨霏; 周剑平; 张富强
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张富强; 陈诺夫; 杨瑞霞; 魏怀鹏; 刘祥林; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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| GaSb 和GaN 基稀磁半导体的制备和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 张富强
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张富强; 陈诺夫; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
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| 磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周剑平; 陈诺夫; 张富强; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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| 组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 张富强; 杨君玲; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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