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多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-02-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  张富强;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  周剑平;  张富强
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  张富强;  陈诺夫;  杨瑞霞;  魏怀鹏;  刘祥林;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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