多能态离子注入法制备磁性半导体的方法
张富强; 陈诺夫
2005-02-23
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2003-08-22
语种中文
申请号CN03154925.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/2741
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
张富强,陈诺夫. 多能态离子注入法制备磁性半导体的方法[P]. 2005-02-23.
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