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| 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中
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| 利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 成步文 ; 薛春来; 罗丽萍; 韩根全; 曾玉刚; 薛海韵; 王启明
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| D-UHV/CVD 外延生长SiGe和ArF准分子激光退火制备量子点的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 曾玉刚
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 熊绍珍; 赵颖; 吴春亚; 郝云; 王跃; 陈有素; 杨恢东; 周祯华; 俞钢
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