利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法
韩根全; 曾玉刚; 余金中
2009-03-04
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2007-08-29
语种中文
申请号CN200710121073.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4313
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
韩根全,曾玉刚,余金中. 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法[P]. 2009-03-04.
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