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Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal 会议论文
, Rio de Janeiro, BRAZIL, 2009
作者:  Zhao YW (Zhao Youwen);  Zhang R (Zhang Rui);  Zhang F (Zhang Fan);  Dong ZY (Dong Zhiyuan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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Zinc Oxide  Doping  Defect  
低温晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人:  彭红玲;  陈良惠;  郑婉华;  石 岩;  渠红伟;  杨国华;  何国荣
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在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  谈笑天;  郑厚植;  刘 剑;  杨富华
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适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  杨晋玲;  周美强;  周 威;  唐龙娟;  朱银芳;  杨富华
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基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:  戴 扬;  杜 睿;  杨富华
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采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12
发明人:  鞠研玲;  杨晓红;  韩 勤
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在高低温工作条件下对光电器件进行测试的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:  提刘旺;  杨晓红;  韩 勤
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在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:  杨晓红;  韩 勤;  提刘旺
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang L(张磊);  Ji RQ(冀瑞强);  Jia LX(贾连希);  Yang L(杨林);  Zhou P(周平);  Tian YH(田永辉);  Chen P(陈平);  Lu YY(卢洋洋);  Jiang ZY(姜震宇);  Liu YL(刘育梁);  Fang Q(方青);  Yu MB(余明斌)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YM (Bai YiMing);  Wang J (Wang Jun);  Chen NF (Chen NuoFu);  Yao JX (Yao JianXi);  Yin ZG (Yin ZhiGang);  Zhang H (Zhang Han);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Huang TM (Huang TianMao);  Wang YS (Wang YanShuo);  Yang XL (Yang XiaoLi);  Bai, YM, N China Elect Power Univ, Sch Renewable Energy Engn, Beijing 102206, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymbai@semi.ac.cn
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