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在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
Inventors:  谈笑天;  郑厚植;  刘 剑;  杨富华
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光学自旋注入方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
Inventors:  张 飞;  郑厚植;  肖文波;  谈笑天;  孙晓明;  吴 昊;  朱 科;  罗 晶 
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一种基于梯形势垒结构的增强型高迁移率场效应晶体管结构 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
Authors:  谈笑天
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一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240933.2, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  谈笑天;  郑厚植
Adobe PDF(444Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1334/170  |  Submit date：2011/08/30