Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 低温晶片键合的方法 | |
| 彭红玲; 陈良惠; 郑婉华; 石 岩; 渠红伟; 杨国华; 何国荣 | |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-03-24 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底;步骤2:再分别对Si外延片和InGaAs外延片进行表面处理，以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理;步骤3:将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置于真空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气;步骤4:对键合后的晶片进行减薄;步骤5:再对减薄后的晶片进行第二次热处理;步骤6:最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。 |
| 申请日期 | 2008-09-17 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810222336.7 |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13352 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭红玲,陈良惠,郑婉华,等. 低温晶片键合的方法[P]. 2010-08-12. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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