| Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal | |
| Zhao YW (Zhao Youwen); Zhang R (Zhang Rui); Zhang F (Zhang Fan); Dong ZY (Dong Zhiyuan); Yang J (Yang Jun); Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China | |
| 2010-10-11 | |
| 会议名称 | 29th International Conference on Physics of Semiconductors |
| 会议日期 | 2009 |
| 会议地点 | Rio de Janeiro, BRAZIL |
| 合作性质 | 其它 |
| 摘要 | A high concentration of shallow donor defect is formed in P-diffused ZnO single crystals. X-ray photoelectron spectroscopy analysis indicates that P atom occupy different lattice site at different diffusion temperature. Nature of the donor defect has been discussed. |
| 关键词 | Zinc Oxide Doping Defect |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CPCI（ISTP） |
| 语种 | 英语 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13554 |
| 专题 | 半导体材料科学中心 |
| 通讯作者 | Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhao YW ,Zhang R ,Zhang F ,et al. Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal[C],2010. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| Donor defect in P-di（321KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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