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| Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal 会议论文 , Rio de Janeiro, BRAZIL, 2009 作者: Zhao YW (Zhao Youwen); Zhang R (Zhang Rui); Zhang F (Zhang Fan); Dong ZY (Dong Zhiyuan); Yang J (Yang Jun); Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
Adobe PDF(321Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:2397/471  |  提交时间:2010/10/11 Zinc Oxide Doping Defect |
| 低温晶片键合的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12 发明人: 彭红玲; 陈良惠; 郑婉华; 石 岩; 渠红伟; 杨国华; 何国荣
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| 在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12 发明人: 谈笑天; 郑厚植; 刘 剑; 杨富华
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| 适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 杨晋玲; 周美强; 周 威; 唐龙娟; 朱银芳; 杨富华
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| 基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12 发明人: 戴 扬; 杜 睿; 杨富华
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| 采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12 发明人: 鞠研玲; 杨晓红 ; 韩 勤
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| 在高低温工作条件下对光电器件进行测试的装置和方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12 发明人: 提刘旺; 杨晓红 ; 韩 勤
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| 在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12 发明人: 杨晓红 ; 韩 勤; 提刘旺
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang L(张磊); Ji RQ(冀瑞强); Jia LX(贾连希); Yang L(杨林); Zhou P(周平); Tian YH(田永辉); Chen P(陈平); Lu YY(卢洋洋); Jiang ZY(姜震宇); Liu YL(刘育梁); Fang Q(方青); Yu MB(余明斌)
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Bai YM (Bai YiMing); Wang J (Wang Jun); Chen NF (Chen NuoFu); Yao JX (Yao JianXi); Yin ZG (Yin ZhiGang); Zhang H (Zhang Han); Zhang XW (Zhang XingWang); Huang TM (Huang TianMao); Wang YS (Wang YanShuo); Yang XL (Yang XiaoLi); Bai, YM, N China Elect Power Univ, Sch Renewable Energy Engn, Beijing 102206, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymbai@semi.ac.cn
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