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降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  范亚明;  张兴旺;  谭海仁;  陈诺夫
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利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  陈诺夫;  王占国
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一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  蒋渭生
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一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  应杰;  张兴旺;  范亚明
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