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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [21]
作者
韩培德 [2]
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会议论文 [21]
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收录类别:CPCI\-S
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gas Sensors
Hemt Structures
Mobility
Temperature
Transistors
Growth
Mocvd
Layer
Hydrogen sensors based on Pt-AlGN/AIN/GaN Schottky diode - art. no. 68291R
会议论文
ADVANCED MATERIALS AND DEVICES FOR SENSING AND IMAGING III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wan, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Way, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wan, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Hydrogen Sensor
Algan/gan Heterostructure
Schottky Diode
Corrugated surfaces formed on GaAs (331)a substrates: The template for laterally ordered InGaAs nanowires
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Miao, ZH (Miao, Zhenhua)
;
Gong, Z (Gong, Zheng)
;
Fang, ZD (Fang, Zhidan)
;
Niu, ZC (Niu, Zhichuan)
;
Gong, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattice & Microstruct, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Atomic Hydrogen
Molecular Beam Epitaxy
Step Arrays
Molecular-beam Epitaxy
Atomic-hydrogen
Vicinal Surface
Quantum Dots
Growth
Temperature
Irradiation
Mechanism
Mbe
The study of high temperature annealing of a-SiC : H films
会议论文
ADVANCED MATERIALS FORUM III丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Aveiro, PORTUGAL, MAR 20-23, 2005
作者:
Zhang, S
;
Hu, Z
;
Raniero, L
;
Liao, X
;
Ferreira, I
;
Fortunato, E
;
Vilarinho, P
;
Perreira, L
;
Martins, R
;
Zhang, S, Univ Nova Lisboa, Fac Ciencias & Tecnol, Dept Ciencia Mat, Campus Caparica, P-2829516 Caparica, Portugal. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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提交时间:2010/03/29
Silicon Carbide
High Temperature Annealing
Thin Film
Silicon
Pecvd
The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order
会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 338, Campos do Jordao, BRAZIL, AUG 25-29, 2003
作者:
Zhang S
;
Liao X
;
Xu Y
;
Martins R
;
Fortunato E
;
Kong G
;
Zhang S Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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提交时间:2010/11/15
Amorphous-silicon Films
Scattering
Absorption
Densities
Hydrogen
Microstructure of the silicon film prepared near the phase transition regime from amorphous to nanocrystalline
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zhang SB
;
Liao XB
;
Xu YY
;
Hu ZH
;
Zeng XB
;
Diao HW
;
Luo MC
;
Kong G
;
Zhang SB Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Condensed State Phys State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Polymorphous Silicon
Light-scattering
Thin-films
Si
Microcrystallinity
Absorption
States
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
;
Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Sci Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Neutron Irradiation
Annealing
Defects In Silicon
Spectra
Correlation between Er3+ emission and the microstructure of a-SiOx : H < Er > films
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Chen CY
;
Chen WD
;
Song SF
;
Hsu CC
;
Chen CY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Hydrogenated Amorphous-silicon
Photoluminescence
Luminescence
Intensity
System
Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wei WS
;
Wang TM
;
Zhang CX
;
Li GH
;
Han HX
;
Ding K
;
Wei WS Beijing Univ Aeronaut & Astronaut Sch Sci Ctr Mat Phys & Chem Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Amorphous-silicon
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Impurities
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Semiconducting Iii-v Materials
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Defects
Heterostructure
Semiconductors
Stress