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Control of Arsenic Pollution from Waste Gases during Fabrication of Semconductor 期刊论文
Journal of Environmental Sciences, 1994, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 123-127
Authors:  Wen Ruimei, Liang junwu,et al
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脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 499-505
Authors:  李德尧, 黄永箴, 张书明, 种明, 叶晓军, 朱建军, 赵德刚, 陈良惠, 杨辉, 梁骏吾
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MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1242-1245
Authors:  马志芳, 王玉田, 江德生, 赵德刚, 张书明, 朱建军, 刘宗顺, 孙宝娟, 段瑞飞, 杨辉, 梁骏吾
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MOCVD生长的GaN:Mg外延膜的光电性质 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 29-32
Authors:  王莉莉,张书明,杨辉,梁骏吾
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薄膜太阳能电池的研究进展 会议论文
, none, 2011
Authors:  梁骏吾
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中国半导体硅材料发展战略研究-中国工程院咨询报告 会议论文
, none, 2002
Authors:  梁骏吾
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光伏产业面临多晶硅瓶颈及其对策 期刊论文
科技导报, 2006, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 5-7
Authors:  梁骏吾
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半导体硅片生产形势分析 期刊论文
中国集成电路, 2003, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 34-37
Authors:  梁骏吾,郑敏政,袁桐,闻瑞梅
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中国硅材料工业的前景与挑战 期刊论文
中国集成电路, 2002, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 36-38
Authors:  梁骏吾,郑敏政,袁桐,戴自忠
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Determination of structure and polarity of SiC single crystal by X-ray diffraction technique 期刊论文
Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 35-39
Authors:  Zheng Xinhe, Qu Bo, Wang Yutian, Yang Hui, Liang Junwu
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新建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考 期刊论文
梁骏吾, 2000, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 33-35
Authors:  梁骏吾
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用固相外延方法制备Si1-x-yGexCy 三元材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 862-866
Authors:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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Physical properties and growth of SiC 期刊论文
Chinese Journal of Electronics, 1998, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 28-33
Authors:  Liang Junwu,Zhu Jianjun
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MOVPE生长Ga(CH3)3-AsH3-H2体系中砷的形态转化及砷的治理 期刊论文
电子学报, 1997, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 76-78
Authors:  闻瑞梅,梁骏吾
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The dependence of GexSi1-x epitaxial growth on GeH4 flow using chemical vopour deposition 期刊论文
J.Materials Science :Materials in Electronics, 1997, 卷号: 8, 页码: 405-408
Authors:  Jin Xiaojun, Liang Junwu
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Dicssociated screw dislocation which can relieve strain energy in the epitaxial layer of GeSi on Si(001) 期刊论文
Phys.Rev. B, 1997, 卷号: 55, 期号: 15, 页码: 9259-9262
Authors:  Xue-yuan Wan,Jun-Wu Liang ,Min-Liang Liu,Xiao-Jun Jin
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GeSi_CVD系统的流体力学和表面反应动力学模型 期刊论文
电子学报, 1996, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 7-12
Authors:  金晓军;  梁骏吾
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半导体材料与器件生产工艺尾气中砷,磷,硫的治理及检查测 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 188-194
Authors:  闻瑞梅,梁骏吾,邓礼生,彭永清
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Photoluminescence spectrum study of the GaAs/Si epilayer grown by using a thin amorphous Si film as buffer layer 期刊论文
Jpn.J.Appl.Phys, 1995, 卷号: 34, 页码: L900-L902
Authors:  Mao –Sheng Hao, Jun-Wu Liang, Lian-Xi Zheng, Li-Seng Deng, Zi-Bao Xiao, Xiong-Wei Hu
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SIPOS 膜的结构组成 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 890-896
Authors:  谭凌;  雷沛云;  梁骏吾
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