脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响
	李德尧, 黄永箴, 张书明, 种明, 叶晓军, 朱建军, 赵德刚, 陈良惠, 杨辉, 梁骏吾
	2006
Source Publication	半导体学报
Volume	27 Issue:3 Pages:499-505
Date Available	2014-05-16
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24973
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	李德尧, 黄永箴, 张书明, 种明, 叶晓军, 朱建军, 赵德刚, 陈良惠, 杨辉, 梁骏吾. 脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响[J]. 半导体学报,2006,27(3):499-505.
APA	李德尧, 黄永箴, 张书明, 种明, 叶晓军, 朱建军, 赵德刚, 陈良惠, 杨辉, 梁骏吾.(2006).脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响.半导体学报,27(3),499-505.
MLA	李德尧, 黄永箴, 张书明, 种明, 叶晓军, 朱建军, 赵德刚, 陈良惠, 杨辉, 梁骏吾."脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响".半导体学报 27.3(2006):499-505.

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