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脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响 | |
李德尧, 黄永箴, 张书明, 种明, 叶晓军, 朱建军, 赵德刚, 陈良惠, 杨辉, 梁骏吾 | |
2006 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 27Issue:3Pages:499-505 |
Date Available | 2014-05-16 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24973 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李德尧, 黄永箴, 张书明, 种明, 叶晓军, 朱建军, 赵德刚, 陈良惠, 杨辉, 梁骏吾. 脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响[J]. 半导体学报,2006,27(3):499-505. |
APA | 李德尧, 黄永箴, 张书明, 种明, 叶晓军, 朱建军, 赵德刚, 陈良惠, 杨辉, 梁骏吾.(2006).脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响.半导体学报,27(3),499-505. |
MLA | 李德尧, 黄永箴, 张书明, 种明, 叶晓军, 朱建军, 赵德刚, 陈良惠, 杨辉, 梁骏吾."脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响".半导体学报 27.3(2006):499-505. |
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