SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响
李德尧, 黄永箴, 张书明, 种明, 叶晓军, 朱建军, 赵德刚, 陈良惠, 杨辉, 梁骏吾
2006
Source Publication半导体学报
Volume27Issue:3Pages:499-505
Date Available2014-05-16
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24973
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李德尧, 黄永箴, 张书明, 种明, 叶晓军, 朱建军, 赵德刚, 陈良惠, 杨辉, 梁骏吾. 脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响[J]. 半导体学报,2006,27(3):499-505.
APA 李德尧, 黄永箴, 张书明, 种明, 叶晓军, 朱建军, 赵德刚, 陈良惠, 杨辉, 梁骏吾.(2006).脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响.半导体学报,27(3),499-505.
MLA 李德尧, 黄永箴, 张书明, 种明, 叶晓军, 朱建军, 赵德刚, 陈良惠, 杨辉, 梁骏吾."脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响".半导体学报 27.3(2006):499-505.
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